MOS電容的特性能被用來形成MOS管。Gate，電介質(zhì)和backgate保持原樣。在GATE的兩邊是兩個(gè)額外的選擇性摻雜的區(qū)域。其中一個(gè)稱為source，另一個(gè)稱為drain。假設(shè)source 和backgate都接地，drain接正電壓。只要GATE對BACKGATE的電壓仍舊小于閾值電壓，就不會形成channel。Drain和backgate之間的PN結(jié)反向偏置，所以只有很小的電流從drain流向backgate。如果GATE電壓超過了閾值電壓，在GATE電介質(zhì)下就出現(xiàn)了channel。這個(gè)channel就像一薄層短接drain和source的N型硅。由電子組成的電流從source通過channel流到drain。總的來說，只有在gate對source電壓V超過閾值電壓Vt時(shí)，才會有drain電流。除了以上產(chǎn)品外，公司同時(shí)還供應(yīng)有三端穩(wěn)壓芯片、降壓芯片等產(chǎn)品，我們公司具備有*實(shí)戰(zhàn)的技術(shù),專業(yè)的運(yùn)營團(tuán)隊(duì),為您創(chuàng)造以用戶體驗(yàn)為前提的服務(wù)，服務(wù)的至善至美是我們永無止境的追求。因?yàn)橐悦駷楸荆灾档眯刨嚕灰驗(yàn)閷I(yè)專職，所以值得選擇.以上信息僅供參考，詳情請致電相關(guān)工作人員為您解答。