目前,越來越多的IC芯片都需要低電壓供電。隨著功率變換器輸出電壓的降低,整流損耗成為變換器的主要損耗。為使變換器達(dá)到很高的效率,必須降低整流損耗。原有整流電路使用肖特基二極管作為整流二極管，但是由于導(dǎo)通壓降在低壓輸出時(shí)候相對(duì)較大，引起的損耗也是我們不能接受的。于是我們采用低導(dǎo)通電阻的MOSFET 進(jìn)行整流,這是提高變換器效率的一種有效途徑。實(shí)現(xiàn)這一功能的電路就叫做同步整流電路。實(shí)現(xiàn)同步整流功能的MOSFET 稱作同步整流管。 同步整流IC技術(shù)是通過控制功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)電路，來利用功率MOSFET實(shí)現(xiàn)整流功能的技術(shù)。一般驅(qū)動(dòng)頻率固定，可達(dá)200kHz以上，門極驅(qū)動(dòng)可以采用交叉耦合(Cross-coupled)或外加驅(qū)動(dòng)信號(hào)配合死區(qū)時(shí)間控制實(shí)現(xiàn)。
1)同步整流技術(shù)出現(xiàn)較早，但早期的技術(shù)很難轉(zhuǎn)換為產(chǎn)品，這是由于當(dāng)時(shí)驅(qū)動(dòng)技術(shù)不成熟，可靠性不高，現(xiàn)在技術(shù)已逐步成熟，出現(xiàn)了專用同步整流驅(qū)動(dòng)芯片，如IR1176等；
2)專用配套的低導(dǎo)通電阻功率MOSFET還未投放市場(chǎng)；
3)還未采用MOSFET并聯(lián)肖特基二極管以降低寄生二極管的導(dǎo)通損耗；
4)在產(chǎn)品設(shè)計(jì)中沒有解決分布電感對(duì)MOSFET開關(guān)損耗的影響。
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